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      SiC肖特基势垒二极管

      SiC器件具有出色的特性,能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产品的小型化、轻量化。

      产品信息

      • 产品信息

      SiC-SBD系列

      接线 VRRM (V) Io (A)
      TO-220

      TO-220F

      TO-247

      T-Pack(s)
      单管 650 6 FDCP06S65 FDCA06S65
      8 FDCP08S65 FDCA08S65
      10 FDCP10S65 FDCA10S65 FDCY10S65 FDCC10S65
      25 FDCP25S65 FDCA25S65 FDCY25S65 FDCC25C65
      1200 18 FDCA18S120 FDCY18S120
      双管 650 20 FDCP20C65 FDCA20C65 FDCY20C65 FDCC20C65
      50     FDCY50C65  
      1200 36     FDCY36C120  

      :新产品

      :更新

      :开发中

       


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